研究目的
采用20 keV氩团簇离子束作为初级离子,通过飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)分析四种OLED有机材料,并研究碎片化比率随氩团簇离子尺寸的变化关系。
研究成果
研究表明,结合氩团簇离子枪的飞行时间二次离子质谱法(ToF-SIMS)能有效分析OLED材料并识别生产过程中的缺陷。降低单原子能量有利于观测次级分子离子,而团簇尺寸扫描法有助于区分SIMS电离过程产生的碎片离子与样品中的意外物质。
研究不足
该研究仅限于分析四种特定的OLED材料,并未涵盖OLED生产中使用的全部材料范围。观察到了原材料中杂质对裂解率的影响,但这可能无法代表所有OLED材料的情况。
1:实验设计与方法选择:
采用配备20 keV Ar团簇离子枪(GCIB)的TOF-SIMS V质谱仪进行飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)分析。
2:样品选择与数据来源:
将四种OLED材料(HAT-CN、Alq3、TAPC和TPBi)沉积于硅晶圆表面。
3:TAPC和TPBi)沉积于硅晶圆表面。
实验设备与材料清单:
3. 实验设备与材料清单:TOF-SIMS V质谱仪(IONTOF GmbH)、15T solariX傅里叶变换离子回旋共振质谱仪(FT-ICR,布鲁克·道尔顿公司)、Ultraflextreme基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪(MALDI-ToF/ToF,布鲁克·道尔顿公司)。
4:实验流程与操作步骤:
使用20 keV Ar团簇离子枪在正离子模式下获取二次离子质谱,绘制800至2400团簇尺寸范围内的碎片化比率曲线。
5:数据分析方法:
通过比较各OLED材料碎片离子与母体离子的强度计算碎片化比率。
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