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双脉冲激光辅助化学气相沉积法无催化剂生长二硫化钼纳米棒及其结构、光学和电学性能

DOI：10.1007/s11664-019-07817-z 期刊：Journal of Electronic Materials 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 采用激光辅助化学气相沉积法，以块体二硫化钼（MoS2）为原料合成了二硫化钼纳米棒（NRs）。使用波长组合为1064 nm和532 nm的调Q Nd:YAG激光器对固态MoS2靶材进行烧蚀。研究发现，在1000°C的炉温下通过气-固过程可实现MoS2 NRs的生长，且无需任何金属催化剂。通过粉末X射线衍射分析（PXRD）、场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、拉曼光谱以及紫外-可见（UV-Vis）和光致发光（PL）光谱对MoS2 NRs的结构和光学特性进行了表征。PXRD揭示了合成纳米棒的结晶度和相纯度，电子显微镜显示MoS2 NRs长度为0.5-1.2 μm，宽度介于40 nm至160 nm之间。UV-Vis吸收光谱呈现宽幅吸收，PL测量显示在379 nm处存在尖锐发射峰。Tauc图计算确定MoS2 NRs具有直接跃迁特性。测得纳米棒的电导率为317.95 S/cm。与MoS2纳米颗粒相比，由于纳米棒具有更高的面内电子传输能力，MoS2 NRs展现出更高的导电性。
作者： SAROJINI JEEVA PANCHU，MUFUTAU A. ADEBISI，E. MANIKANDAN，MATHEW K. MOODLEY
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

使用激光辅助化学气相沉积法（LACVD）在无需任何金属催化剂的情况下，从块体二硫化钼（MoS2）合成二硫化钼纳米棒（NRs），并表征其结构、光学和电学特性。

研究成果

通过LACVD法在1000°C合成的MoS2纳米棒具有良好的结晶性、相纯度以及增强的光学和电学性能，使其适用于电子器件应用。

研究不足

该研究聚焦于二硫化钼纳米棒的合成与表征，但未深入探讨其在特定器件中的应用或与其他合成方法进行详细比较。

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