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高压AlInGaN LED芯片

DOI：10.1134/S1063782619110125 期刊：Semiconductors 出版年份：2019 更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要： 基于AlInGaN异质结构的高压发光二极管（LED）倒装芯片被研发并制造。该LED倒装芯片由16个串联连接的元件组成，每个元件均为常规LED。总尺寸为1.25×1.25毫米的芯片设计工作电流为20毫安，正向电压为48伏。为改善芯片元件有源区的电流分布均匀性并最小化n型接触所占区域损耗，通过采用中间绝缘介质层的两级金属化布局，将这些元件的n型接触焊盘布置在p型接触区域内。接触焊盘的排布拓扑结构通过数值模拟开发完成。通过在制造n型和p型接触以及载流条时使用在LED发射波长下具有高反射率的金属组合，实现了芯片量子效率的提升。
作者： L. K. Markov，M. V. Kukushkin，A. S. Pavlyuchenko，I. P. Smirnova，G. V. Itkinson，O. V. Osipov
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

基于AlInGaN异质结构开发并制造一种高压发光二极管（LED）倒装芯片，该芯片由16个元件串联组成，工作电流为20 mA，正向电压为48 V，具有改进的电流分布均匀性和量子效率。

研究成果

基于AlInGaN异质结构开发的高压LED倒装芯片成功集成了16个串联元件，在20mA电流下实现48V工作电压。两级金属化和优化的接触焊盘布局提升了电流分布均匀性及量子效率。该芯片的设计与制造工艺展现出在高压应用中高效使用的潜力。

研究不足

该研究聚焦于一种特定设计的高压LED芯片，可能未涵盖所有潜在应用或LED芯片设计的变体。实验结果基于特定的异质结构，可能因不同材料或生长条件而有所差异。

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