研究目的
研究侧壁条件对电容耦合等离子体沉积反应器中等离子体密度分布均匀性及沉积速率剖面的影响。
研究成果
研究表明,在电容耦合等离子体(CCP)反应器中,采用厚且低介电常数的介质侧壁可实现最均匀的等离子体密度分布和沉积速率分布。该结论通过流体建模、实验结果以及对纯氩放电的额外粒子模拟(PIC)得到了验证。
研究不足
该研究仅限于SiH4/He电容耦合等离子体放电,可能不直接适用于其他气体混合物或反应器构型。计算模型采用了一定简化假设,例如忽略了离子通量诱导的表面现象。
研究目的
研究侧壁条件对电容耦合等离子体沉积反应器中等离子体密度分布均匀性及沉积速率剖面的影响。
研究成果
研究表明,在电容耦合等离子体(CCP)反应器中,采用厚且低介电常数的介质侧壁可实现最均匀的等离子体密度分布和沉积速率分布。该结论通过流体建模、实验结果以及对纯氩放电的额外粒子模拟(PIC)得到了验证。
研究不足
该研究仅限于SiH4/He电容耦合等离子体放电,可能不直接适用于其他气体混合物或反应器构型。计算模型采用了一定简化假设,例如忽略了离子通量诱导的表面现象。
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