研究目的
研究氮化镓基发光二极管的高温光学特性，以评估其作为高密度功率电子?？橹泄怦罘⑸淦鞯那痹诩捎τ?。
研究成果
研究表明，InGaN/GaN多量子阱发光二极管在高温下具有稳定工作特性和高内量子效率，使其成为功率电子?？橹懈呶鹿怦罴傻睦硐牒蜓∑骷?。GaN缓冲层和超晶格电子阻挡层结构能提升峰值内量子效率，而预多量子阱层的影响微乎其微。
研究不足
该研究仅限于分析具有特定峰值波长的市售LED样品。LED样品之间的结构差异可能会影响研究结果的普适性。
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面向未来功率电子?？榈牡鼗鵏ED高温光学特性表征
DOI：10.1002/pssa.201900792
期刊：physica status solidi (a)
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
对三种不同InGaN/GaN多量子阱LED结构（峰值波长λp=448nm、467nm和515nm）进行了高温光学分析，评估其作为高密度功率电子?？橹泄怦罘⑸淦鞯募煽赡苄浴Ｑ芯慷员攘酥饕糜谙允荆é藀=467nm和515nm）与照明（λp=448nm）的商用LED，以判断它们能否满足光耦在高温环境下的光输出要求。采用温度-强度依赖性电致发光（T-IDEL）测量技术研究LED的内部量子效率（IQE）。三种LED在500K时均保持70%以上的IQE，并能在800K高温下稳定工作而无闪烁或失效现象。在800K时，显示用蓝光（λp=467nm）和绿光（λp=515nm）样品展现出超过40%的优异IQE值，而照明用蓝光（λp=448nm）样品的IQE为24%。
作者：
Syam Madhusoodhanan，Abbas Sabbar，Stanley Atcitty，Robert Kaplar，Alan Mantooth，Shui-Qing Yu，Zhong Chen
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