研究目的
研究在蓝宝石衬底背面制备SiO2薄膜以减少发光二极管(LED)的弯曲度，降低晶圆翘曲和压缩应力，从而提高内量子效率。
研究成果
在蓝宝石衬底背面沉积SiO2层能有效减少晶圆翘曲和GaN薄膜中的压应力，通过降低压电场来提高LED的内量子效率。该方法简单且无需复杂工艺。
研究不足
该研究聚焦于二氧化硅厚度对晶圆翘曲及应力降低的影响，但未探索其他材料或应力降低方法。其应用仅限于蓝宝石衬底上的LED。
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在蓝宝石衬底背面制备二氧化硅薄膜以减少发光二极管弯曲的方法
DOI：10.3938/jkps.75.480
期刊：Journal of the Korean Physical Society
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
本研究通过在蓝宝石衬底背面制备SiO2薄膜来构建LED结构，从而制得了弯曲度较低的发光二极管(LED)。这种低热膨胀系数的SiO2薄膜有效降低了因热膨胀系数差异导致的晶圆弯曲。当SiO2薄膜厚度从1微米增至4微米时，GaN薄膜中的压应力较无SiO2薄膜的情况降低了16%至62%。多量子阱中应力的减小还通过降低压电场效应提升了LED的内量子效率。
作者：
Seungmin Lee，Jonghak Kim，Chan-Hyoung Oh，Jong-In Shim，Yongjo Park，Euijoon Yoon
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