研究目的
研究基于加载石墨烯的手性超材料阵列的主动太赫兹调制器开发，用于调控太赫兹特性包括振幅、频率和偏振。
研究成果
该研究成功展示了一种基于负载石墨烯的手征超材料的主动太赫兹调制器，能够连续调控太赫兹辐射的偏振角。该器件在太赫兹光谱学、成像和通信领域展现出应用前景，未来研究建议优化重构速度与调制深度。
研究不足
该非优化设备的重构速度经测量超过5 MHz，表明在设备速度和效率方面存在潜在的优化空间。
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[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 基于石墨烯手征超材料器件电子调控的太赫兹偏振调制器
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[2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC）- 基于石墨烯手征超材料器件电子调控的太赫兹偏振调制器
DOI：10.1109/cleoe-eqec.2019.8872205
出版年份：2019
更新时间：2025-09-12 10:27:22
摘要：
太赫兹（THz）科学技术近年来在光谱学、成像、药物研究[1]和无线通信等领域取得了巨大进展。这些应用需要电调谐器件来调控太赫兹特性，包括振幅、频率和偏振。将等离子体/超材料谐振器件与石墨烯集成，已证明是实现快速可重构、高效太赫兹光电器件的有效途径[2]——通过电调谐与等离子体谐振结构集成的石墨烯。本文展示了一种基于手征超材料阵列的主动式太赫兹调制器，该阵列包含加载石墨烯的金属结构。该器件利用电磁诱导透明类似效应，通过亮暗谐振腔的电容耦合实现（其中暗谐振腔通过石墨烯主动阻尼，如文献[2]所述用于频率调制）?；钚郧虺叽缥?.2×1.2毫米，由包含27×27个单元的二维手征超材料阵列构成（见图1a）。谐振结构采用电子束光刻定义，并通过热蒸发沉积Ti/Au（10/70纳米）。这些结构沉积在硼掺杂p型硅衬底上300纳米厚SiO2绝缘层顶部?；喑粱さ氖┩ü缱邮饪潭ㄒ宄?.25×3.25微米的方块。
作者：
Nikita W. Almond，Stephen J. Kindness，Wladislaw Michailow，Binbin Wei，Lukas Jakob，Philipp Braeuninger-Weimer，Stephan Hofmann，Harvey E. Beere，David A. Ritchie，Riccardo Degl’Innocenti
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