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垂直腔面发射激光器与耦合腔共振腔增强光电二极管单片集成,用于短距离单纤双向光互连

DOI:10.1140/epjd/e2019-100166-2 期刊:The European Physical Journal D 出版年份:2019 更新时间:2025-09-12 10:27:22
摘要: 本文提出了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)与耦合腔谐振腔增强光电二极管(ccRCEPD)的单片集成方案?;诟媒峁梗杓屏艘欢云ヅ湫酒糜诘ス庀怂蚬饣チ?。这种集成方式能轻松将VCSEL和光电二极管(PD)封装于同一???,不仅降低了器件封装成本,甚至减少了分束器等光学系统部件的成本,还能节省光收发器内部空间使其更为紧凑。所集成芯片的VCSEL阈值电流分别为1.6 mA和1.7 mA,斜率效率分别为0.74 W/A和0.97 W/A;VCSEL调制带宽达9.5 GHz和11.0 GHz,PD响应带宽为10 GHz。若将多量子阱(MQWs)材料从GaAs/AlGaAs替换为InGaAs/AlGaAs,调制带宽可进一步提升;通过优化还可提高PD的3dB带宽。
作者: Qi Wei,Kai Liu,Jun-Wei Luo,Hui-Ze Fan,Xiao-Min Ren,Yong-Qing Huang,Jia-Rui Fei,Xiao-Feng Duan,Qi Wang,Shi-Wei Cai
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研究概述 实验方案 设备清单

研究垂直腔面发射激光器(VCSEL)与耦合腔谐振腔增强光电二极管(ccRCEPD)的单片集成技术,用于短距离单纤双向光互连。

VCSEL与ccRCEPD的单片集成为双向光互连提供了一种紧凑的解决方案,降低了成本并节省了空间。VCSEL展现出良好的阈值电流和斜率效率,而光电探测器则具有宽光谱线宽以实现温度耐受性。进一步优化可提升调制带宽和光电探测器性能。

PD的吸收层会在VCSEL腔内造成光损耗,导致输出功率下降。为获得更高带宽,需对吸收层的厚度和位置进行优化。

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