研究目的
研究经6.0 MeV碳离子辐照的Ce:LSO晶体的光学特性和光致发光增强效应。
研究成果
6.0 MeV碳离子以1.0×101?和2.0×101? ions/cm2的注量辐照Ce:LSO晶体，在对可见光及近红外波段影响最小的情况下形成了光学波导结构。光致发光强度显著增强，显示出在成像与探测领域的应用潜力。
研究不足
本研究仅限于特定注量下6.0 MeV碳离子辐照对Ce:LSO晶体的影响，未探讨其他离子类型或能量的作用。
1：实验设计与方法选择：
采用能量为
2：0 MeV的C3?离子对Ce:
LSO晶体进行辐照，注量分别为1.0×101?和2.0×101? ions/cm2。通过棱镜耦合与端面耦合方法研究光学特性，利用X射线衍射仪分析结构特性。
3：0×101?和0×101? ions/cm2。通过棱镜耦合与端面耦合方法研究光学特性，利用X射线衍射仪分析结构特性。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：使用尺寸为
4：0×0×5 mm3的三方晶系z切Ce:
LSO光学抛光晶体。
5：实验设备与材料清单：
北京大学2×1.7 MV串列加速器用于离子辐照，金相显微镜（Axio Imager，卡尔蔡司）进行截面检测，棱镜耦合器测量波导性能，布鲁克D8 Advance衍射仪进行XRD分析，日本分光U570分光光度计获取吸收光谱，Jobin-Yvon iHR320单色仪采集荧光光谱。
6：7 MV串列加速器用于离子辐照，金相显微镜（Axio Imager，卡尔蔡司）进行截面检测，棱镜耦合器测量波导性能，布鲁克D8 Advance衍射仪进行XRD分析，日本分光U570分光光度计获取吸收光谱，Jobin-Yvon iHR320单色仪采集荧光光谱。 实验流程与操作规范：
4. 实验流程与操作规范：C离子束以偏离晶体表面法线7°的角度扫描表面以最小化沟道效应，电子阻止本领与核阻止本领通过SRIM 2013软件模拟计算。
7：数据分析方法：
采用RCM程序重建折射率分布，通过FD-BPM方法模拟近场强度分布。
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Axio Imager
Carl Zeiss
Detection of C3+ ion irradiated cross-section and accurate size measurement of Ce: LSO crystals with transmitted polarized light.
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Bruker D8 Advance
Bruker
X-ray diffraction analysis using the Cu Kα1 line radiation.
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Jasco U570
Jasco
Recording absorption spectra of un-irradiated and irradiated samples.
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Jobin-Yvon iHR320
Jobin-Yvon
Measurement of PL spectra with excitation laser wavelength of 325 nm.
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