研究目的
通过减少非辐射复合和电场诱导的激子解离,改进准二维钙钛矿发光层的多量子阱结构,从而提升钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的效率。
研究成果
PEABr表面处理方法显著改善了准二维钙钛矿薄膜的多量子阱结构,从而提高了PeLEDs的光致发光量子产率和电致发光效率。该方法为开发高效稳定的显示用PeLEDs提供了有前景的途径。
研究不足
该研究聚焦于提升准二维钙钛矿薄膜在PeLEDs中的性能,但未深入探讨该方法的规?;尚行约捌湓谄渌嘈透祁芽笃骷械挠τ谩?/p>
研究目的
通过减少非辐射复合和电场诱导的激子解离,改进准二维钙钛矿发光层的多量子阱结构,从而提升钙钛矿发光二极管(PeLEDs)的效率。
研究成果
PEABr表面处理方法显著改善了准二维钙钛矿薄膜的多量子阱结构,从而提高了PeLEDs的光致发光量子产率和电致发光效率。该方法为开发高效稳定的显示用PeLEDs提供了有前景的途径。
研究不足
该研究聚焦于提升准二维钙钛矿薄膜在PeLEDs中的性能,但未深入探讨该方法的规?;尚行约捌湓谄渌嘈透祁芽笃骷械挠τ谩?/p>
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