研究目的
研究基于氮化镓的垂直腔面发射激光器(VCSELs)中采用巧妙设计的非对称InGaN量子阱(AS-QWs)实现双波长激光运作及其设计原理。
研究成果
该研究展示了基于氮化镓且具有应变量子阱有源区的垂直腔面发射激光器(VCSELs)中可控的双波长激光运行,为电子 - 光子耦合及多波长发射的设计原理提供了见解。该结果拓展了氮化物基垂直腔面发射激光器的潜在应用。
研究不足
该研究仅限于光学泵浦实验,未涵盖电学泵浦。诸如激光剥离(LLO)和化学机械抛光(CMP)等制备工艺具有挑战性,可能会影响器件性能。
1:实验设计与方法选择:
本研究涉及基于GaN的具有AS-QWs有源区的VCSELs的设计与制备、光学泵浦实验以及采用传输矩阵法(TMM)的理论分析。
2:样本选择与数据来源:
样本是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在c面蓝宝石衬底上生长的基于GaN的VCSELs。
3:实验设备与材料清单:
用于激光剥离(LLO)的脉冲准分子激光器、用于光学泵浦的Q开关YVO4脉冲激光器、单色仪以及用于发光信号检测的制冷电荷耦合器件相机。
4:实验步骤与操作流程:
VCSELs的制备包括LLO工艺、化学机械抛光(CMP)以及介质DBR镜的沉积。进行光学泵浦实验以研究激光特性。
5:数据分析方法:
通过时间和光谱分辨的光致发光(PL)光谱研究多波长激光脉冲的动力学。使用TMM计算光场分布。
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