研究目的
设计和制造色散工程化的氮化硅波导耦合微盘，以实现高Q值谐振器并观测光学参量振荡。
研究成果
厚度约830纳米的氮化硅波导耦合微盘器件展现出高达3×10^6至1×10^7的加载品质因数，并在波导中以约50毫瓦的阈值泵浦功率产生光学参量振荡。
研究不足
该研究受限于低压化学气相沉积（LPCVD）法制备的Si3N4薄膜中的拉应力，这种应力可能导致裂纹形成并限制薄膜厚度。此外，i线光刻胶造成的侧壁粗糙度也会影响波导质量。
1：实验设计与方法选择：
本研究涉及设计和制造具有色散工程的Si3N4波导耦合微盘，以实现高Q因子。
2：样品选择与数据来源：
样品在4英寸硅晶圆上制备，热氧化层厚度为4.4μm。
3：4μm。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：设备包括用于Si3N4薄膜沉积的LPCVD、用于器件图案化的i线光刻，以及基于C4F8/H2/He和SF6/C4F8的刻蚀剂。
4：实验步骤与操作流程：
过程包括沉积Si3N4薄膜、定义波导耦合微盘、刻蚀、退火及器件表征。
5：数据分析方法：
使用激光波长扫描技术测量透射光谱，并通过洛伦兹拟合提取Q因子。
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获取完整内容-
Si3N4 film
Used as the material for waveguide-coupled microdisks.
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LPCVD
Used for depositing Si3N4 films.
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i-line photolithography
Used for defining waveguide-coupled Si3N4 microdisks.
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C4F8/H2/He based etchant
Used for etching the hard mask.
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SF6/C4F8 based etchant
Used for transferring the device pattern to the Si3N4 layer.
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optical spectrum analyzer
Used for analyzing the output-coupled light.
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