研究目的
通过硒化法研究晶圆级PdSe2薄膜的合成及其在宽带光电探测中的应用。
研究成果
该研究通过硒化钯膜成功合成了大面积多晶PdSe2薄膜，证明其适用于具有高响应度和探测率宽带光电探测。该方法为光电器件应用提供了一种可扩展的PdSe2薄膜制备途径。
研究不足
PdSe2薄膜的多晶结构可能引入缺陷，这些缺陷作为光生载流子的复合中心，可能会降低光电探测器的性能。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过硒化钯薄膜合成PdSe2薄膜，对薄膜进行表征，并制备光电探测器以评估其性能。
2：样品选择与数据来源：
采用直流磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备钯薄膜，随后通过硒化反应生成PdSe2薄膜。
3：实验设备与材料清单：
直流磁控溅射系统、硒化管式炉、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、能量色散X射线光谱（EDX）、X射线衍射（XRD）、拉曼光谱、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见-近红外吸收光谱及Keithley 4200-SCS电学测试仪。
4：实验流程与操作步骤：
在蓝宝石衬底上溅射钯薄膜，硒化形成PdSe2薄膜，表征其结构与光学特性后制备光电探测器并测量光响应。
5：数据分析方法：
分析不同波长光照下PdSe2基光电探测器的光响应，计算其响应度与探测率。
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