研究目的
研究快速热退火（RTA）和激光热退火（LTA）对n+ - Ge上原子层沉积钴（ALD - Co）形成CoGe?特性的影响，旨在实现低接触电阻率且近乎外延的晶体结构，且无需阻挡层。
研究成果
在n+型锗上通过激光退火技术(LTA)形成的CoGe2接触层实现了1.3×10-8 Ω·cm2的低接触电阻(ρc)，并具有近乎外延的晶体结构且无团聚现象，性能优于快速热退火(RTA)形成的CoGe2。LTA技术具有的低热预算和显著热梯度特性是实现这些改进的关键因素，使其成为超越5纳米节点极具前景的接触技术。
研究不足
该研究聚焦于特定掺杂浓度的n+-Ge材料，但未探讨其对其他掺杂浓度或材料的可扩展性与适用性，也未讨论LTA法制备的CoGe2的长期稳定性和可靠性。
1：实验设计与方法选择：
本研究在掺杂浓度为2×101? cm?3的n?-Ge上采用ALD沉积Co，随后通过RTA和LTA退火形成CoGe?，探究这些退火方案对CoGe?特性的影响。
2：样品选择与数据来源：
使用n型Si(100)衬底上150纳米厚的n?型外延Ge薄膜。Co薄膜通过ALD沉积，锗化物通过LTA或RTA形成。
3：实验设备与材料清单：
用于Co沉积的ALD系统、用于退火的RTA和LTA系统、用于物相分析的XRD和TEM、以及用于电学表征的TLM。
4：实验流程与操作步骤：
在Ge上沉积Co，通过RTA或LTA退火，进行电学与物性表征。
5：数据分析方法：
通过J-V特性提取ΦBN，TLM测量ρc，XRD和TEM分析结晶度与界面特性。
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获取完整内容-
ALD system
Deposition of Co film on Ge
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Rapid Thermal Annealing system
Annealing of CoGe2
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Laser Thermal Annealing system
Nd: YAG
Annealing of CoGe2 with wavelength of 532 nm, energy density of 0.08~0.1 J/cm2, pulse duration of 15 ns and 50 kHz repetition rate
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X-ray Diffraction
Analysis of crystallinity
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Transmission Electron Microscope
Analysis of element distribution and film thickness
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