研究目的
研究具有复合InGaAs/InAs/InGaAs沟道和不对称栅极凹槽的赝配高电子迁移率晶体管（PHEMTs）在高频应用中的性能表现。
研究成果
采用非对称栅极凹槽和复合沟道结构制备的PHEMT器件实现了高fmax和高fT值，展现出高频应用的潜力。非对称凹槽结构改善了本征参数，进一步优化可提升器件性能。
研究不足
该研究受限于等离子体刻蚀导致的迁移率和电子密度退化，以及实现精确非对称栅极凹槽的复杂性。
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019.9.1-2019.9.6)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 针对InGaAs/InAlAs PHEMT器件，采用75纳米栅极长度与非对称栅极凹槽结构实现f<sub>max</sub>=800 GHz
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019.9.1-2019.9.6)] 2019年第44届国际红外、毫米波及太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 针对InGaAs/InAlAs PHEMT器件，采用75纳米栅极长度与非对称栅极凹槽结构实现f<sub>max</sub>=800 GHz
DOI：10.1109/irmmw-thz.2019.8873821
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
本文采用复合InGaAs/InAs/InGaAs沟道和不对称栅极凹槽的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)，实现了800 GHz的最高振荡频率(fmax)和260 GHz的电流增益截止频率(fT)。该结果采用75 nm长栅极(LG)实现。噪声性能测试至110 GHz，在40 GHz(94 GHz)时获得最小噪声系数NFmin = 0.8 dB(1.8 dB)及对应增益Gass = 16 dB(11.6 dB)。此外，将漏极凹槽长度延长至225 nm并减小栅源间距200 nm，可实现fmax = 1.2 THz。
作者：
Samnouni, N.Wichmann, X.Wallart, C.Coinion, S.Lepilliet, S.Bollaert
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