研究目的
研究高速、高密度、低成本填充铜的玻璃通孔（铜桥）作为异构芯片集成的新型传输通道。
研究成果
铜桥为下一代异构集成提供了一种前景广阔的方案，相比传统硅通孔技术，它具有信号传输损耗低、热稳定性高和制造成本效益显著等优势。研究表明，嵌入铜桥的玻璃中介层在2.5D和2.1D封装结构中展现出高速信号处理和提升信号I/O能力的潜力。
研究不足
该研究聚焦于铜桥的制备与初步测试，但长期可靠性及大规模生产的可扩展性等潜在局限尚未充分探究。
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[IEEE 2019国际电子封装会议(ICEP) - 日本新潟(2019.4.17-2019.4.20)] 2019年国际电子封装会议(ICEP) - 面向异质芯片集成的高速高密度低成本铜填充玻璃通孔通道
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[IEEE 2019国际电子封装会议(ICEP) - 日本新潟(2019.4.17-2019.4.20)] 2019年国际电子封装会议(ICEP) - 面向异质芯片集成的高速高密度低成本铜填充玻璃通孔通道
DOI：10.23919/ICEP.2019.8733458
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
一种采用玻璃通孔填充铜（"铜桥"）的顶部互连结构被提出作为新型传输通道。该铜桥在18GHz信号频率（对应PCI Express 5.0总线标准）下的模拟信号传输损耗低至0.04dB，在典型长距离SerDes信道（损耗30dB）中的信号传输损耗小于0.13%。铜桥的最小间距可窄至100微米，满足信号I/O扩展需求。其简易的几步制备工艺有效降低了玻璃中介层的制造成本，相比需要复杂工艺制备铜通孔硅中介层的方案具有显著优势。这种嵌入铜桥的玻璃基板半加成工艺支持基于大马士革工艺的重布线层，增加了潜在封装配置的多样性。因此，该铜桥技术为基于2.nD中介层的下一代异构集成提供了极具前景的解决方案。
关键词：
中介层
硅通孔（TSV）
2.nD
玻璃通孔（TGV）
重布线层（RDL）
异质集成
2.5D
半加成法工艺
2.1D
大马士革工艺
重布线层（RDL）
玻璃通孔（TGV）
硅通孔（TSV）
作者：
Hiroshi Kudo，Miyuki Akazawa，Shouhei Yamada，Masaya Tanaka，Haruo Iida，Jyunya Suzuki，Takamasa Takano，Satoru Kuramochi
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