研究目的
通过提出一种零电压转换H5型（ZVT-H5）逆变器，研究无变压器并网逆变器（TLI）中的效率和漏电流问题，该逆变器的高频主开关采用基于基本谐振槽的软开通和关断过渡。
研究成果
所提出的ZVT-H5逆变器在转换效率方面展现出显著提升，并解决了续流二极管的反向恢复问题。实验结果验证了该拓扑结构的可行性和优势，使其成为光伏并网系统的潜在候选方案。未来研究可探索其可扩展性及与宽禁带器件的集成，以进一步提高效率。
研究不足
该研究聚焦于一种特定拓扑（ZVT-H5）及其与硬开关H5逆变器的对比。实验验证仅针对3千瓦样机在100千赫兹开关频率下的情况。寄生参数的影响及向更高功率等级扩展的可行性未作深入探讨。
1：实验设计与方法选择：
本研究设计了一种具有软开关功能的ZVT-H5逆变器以降低开关损耗。采用理论模型和算法分析辅助谐振网络的工作原理。
2：样本选择与数据来源：
开发并测试了一台3千瓦原型机以验证ZVT-H5逆变器的有效性。明确了输入电压、电网电压和开关频率等参数。
3：实验设备与材料清单：
包括MOSFET（IPW65R041CFD、IKW40N60T）、二极管（RHRG5060）、谐振电感（10微亨）和谐振电容（5纳法）等元件。
4：0）、谐振电感（10微亨）和谐振电容（5纳法）等元件。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：详细分析了ZVT-H5拓扑的工作模式，包括各工作阶段及实现软开关的元件作用。
5：数据分析方法：
通过比较ZVT-H5和HS-H5的效率曲线评估性能提升。分析内容包括开关损耗、导通损耗和反向恢复损耗。
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获取完整内容-
MOSFET
IPW65R041CFD
High-frequency main switches in the ZVT-H5 inverter.
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MOSFET
IKW40N60T
Power device for auxiliary switches and line-frequency blocking switches.
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Diode
RHRG5060
Auxiliary diodes in the resonant network.
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Resonant Inductor
10 μH
Part of the resonant tanks to achieve soft-switching.
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Resonant Capacitor
5 nF
Part of the resonant tanks to achieve soft-switching.
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