研究目的
介绍一种用于有机电化学晶体管（OECT）图案化的新方法，该方法结合使用疏水绝缘层与激光切割技术，实现源/漏极触点、绝缘层和沟道的自对准，从而能够将活性材料"拖放"至激光切割的穿孔中。
研究成果
所提出的方法能够减少或完全省去微米级器件通常所需的光刻步骤，通过绝缘层与源/漏接触的自对准特性降低寄生电容。该技术兼容柔性基底，可制备通孔和独立薄膜，为生物电子传感器的图案化开辟了新途径。
研究不足
独立阵列的可变性和可重复性较差，表明需要进一步优化制造方法。
1：实验设计与方法选择：
该方法采用疏水绝缘层结合激光切割技术对OECT器件进行图案化加工。
2：样品选择与数据来源：
研究选用PEDOT:PSS作为活性沟道材料。
3：实验设备与材料清单：
设备包括LCS激光切割机、SUSS掩模对准仪及Veeco Dektak-8轮廓仪；材料包含Teflon AF
4：PEDOT:
24PSS及派瑞林C。
5：实验流程与操作步骤：
通过激光在疏水绝缘层刻蚀沟道，将PEDOT:PSS转移填充至沟道内，经烘烤完成晶体管结构制备。
6：数据分析方法：
采用美国国家仪器PXIe-1082系统测量OECT的电学特性。
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SUSS Mask Aligner
MBJ4
SUSS
Used for patterning the resist.
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Veeco Dektak-8 profilometer
Dektak-8
Veeco
Used for thickness measurements of the PEDOT:PSS deposited in the channels.
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PEDOT:PSS
PH1000
Hereaus Clevios
Used as the active channel material in the OECTs.
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LCS Laser Cutter
Used for laser cutting channels in the hydrophobic insulation layer.
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National Instruments PXIe-1082 system
PXIe-1082
National Instruments
Used for electrical OECT measurements.
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Teflon AF 2400
Chemours
Used as a hydrophobic material in the insulation stack.
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Parylene C
Used as a substrate layer for flexible arrays.
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