研究目的
研究一种基于多层氢倍半硅氧烷旋涂且无需热固化来平坦化厚低κ薄膜的新方法，用于电子-光子集成电路。
研究成果
新型HSQ平面化方法在电子-光子集成电路中制造低κ结构方面前景广阔，其制备步骤简单，无需热固化或回蚀处理。成功展示了一种在宽频范围内特征阻抗为48-56Ω的共面波导。
研究不足
该方法的适用性可能受到制造工艺和所用材料的特定要求的限制，例如需要电子束光刻以及HSQ的特定性质。
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用于电子-光子集成电路相关无源元件技术的厚膜氢倍半硅氧烷平面化工艺
DOI：10.1116/1.5123286
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
将电子-光子集成电路（EPICs）迁移到更高数据速率需要高效的电接口。这可以通过微波技术（如共面传输线和微带传输线）实现，但由于单片集成相关制造工艺的复杂性，这些技术在EPICs中应用难度较大。本工作作者报道了一种基于多层旋涂氢倍半硅氧烷（无需热固化）的厚低κ介质平面化新方法。在重掺杂InP衬底上实现了总厚度5和6微米介质的平面化，并用于构建共面波导传输线。该介质形貌作为制造工艺的固有环节定义，完全无需刻蚀步骤。最终展示了在10 MHz–67 GHz频段内特征阻抗介于48至56欧姆之间的共面波导。
作者：
Ali Al-Moathin，Lianping Hou，Afesomeh Ofiare，Jue Wang，Shengwei Ye，Chong Li，John H. Marsh
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