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采用射频磁控溅射法制备片状ZnO/Si发光二极管及其电致发光特性

DOI：10.1016/j.matlet.2019.127028 期刊：Materials Letters 出版年份：2019 更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要： 通过射频磁控溅射法在p型单晶硅上沉积纳米级ZnO，制备出了片状ZnO/Si发光二极管(LED)。XRD图谱中可观察到(100)、(002)和(101)衍射峰。但随着溅射时间延长，(100)和(101)衍射峰强度逐渐减弱，(002)衍射峰强度则逐渐增强。降低溅射功率时，制备的ZnO薄膜表现出更好的(002)取向生长特性。ZnO/Si LED的电致发光(EL)可分解为三个发射带：分别源自带隙、锌间隙或氧空位以及浅能级的紫外、绿色和橙色发射。在较低溅射功率下，橙色发射消失。这表明其结构和EL特性对制备条件非常敏感。未来工作中为实现定向应用，优化和调控制备条件至关重要。
作者： Peng Fei Ji，Yong Li，Feng Qun Zhou，Yu Li Song，Hong Chun Huang
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

采用射频磁控溅射法制备片状ZnO/Si发光二极管并研究其电致发光特性。

研究成果

制备条件显著影响ZnO/Si发光二极管的微观结构与电致发光光谱。理解这些条件对于通过射频磁控溅射法定向应用片状ZnO材料至关重要。

研究不足

该研究强调了结构和电致发光特性对制备条件的敏感性，表明未来工作需要进行优化。

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