研究目的
研究不同退火温度对GaN多孔结构、晶体质量及光学性能的影响，及其在紫外光电探测器中的应用。
研究成果
该研究成功开发出一种通过高温退火制备多孔氮化镓单晶的简单有效方法。总结了退火条件与氮化镓多孔结构之间的关系，从而实现对氮化镓多孔结构的精确控制?；诙嗫椎刂圃斓腗SM结构紫外光电探测器性能得到提升，表明多孔氮化镓材料在紫外光电探测器领域具有应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于退火温度和时间对氮化镓多孔结构的影响及其在紫外光电探测器中的应用，并提及了通过优化器件结构进一步提升性能的潜力。
1：实验设计与方法选择：
采用高温退火法制备多孔氮化镓，研究了不同退火温度对多孔结构的影响。
2：样品选择与数据来源：
以MOCVD生长的GaN/Al2O3为初始模板，GaN层厚度约5毫米。
3：实验设备与材料清单：
石英管式炉、日立S-4800场发射显微镜、堀场EX-450能谱仪(EDS)附件、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、堀场Jobin Yvon LabRAM HR系统、飞利浦Tecnai Twin-20U高分辨透射电镜、FEI Tecnai TF-20 FEG/TEM、吉时利4200-SCS半导体参数分析仪。
4：实验步骤与操作流程：
多孔氮化镓制备在石英管式炉中进行，退火条件为900至1200°C氮气氛围下保温1小时，进行了SEM、HRXRD、拉曼光谱、HRTEM、PL测试。
5：数据分析方法：
采用HRXRD表征多孔氮化镓的结晶质量，拉曼光谱通过LabRAM HR系统获取，PL测试在室温下进行。
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Hitachi S-4800 field emission microscope
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Hitachi
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