研究目的
研究底部带槽炉对光伏用多晶硅(mc-Si)定向凝固(DS)过程的影响。
研究成果
c-m界面的凸形结构是通过改进的换热块获得的。生长出的多晶硅中的热应力和位错密度低于传统系统。采用径向底部沟槽更深的换热块可降低位错密度和冯·米塞斯应力，适用于生长适用于光伏应用的高质量多晶硅锭。
研究不足
数值模拟假设的几何结构为完美的二维轴对称，这可能无法完全捕捉实际过程的所有复杂性。
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光伏用多晶硅生长改进定向凝固工艺的数值模拟
DOI：10.1016/j.matpr.2018.11.030
期刊：Materials Today: Proceedings
出版年份：2018
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
采用瞬态全局模型研究了底部带槽炉对多晶硅(mc-Si)定向凝固(DS)过程的影响。数值模拟假设几何结构为完美的二维轴对称。模拟了温度分布、晶体-熔体(c-m)界面、热应力和位错密度。采用改进的换热块系统来控制坩埚底部的温度梯度。结果表明晶体-熔体界面呈凸形。使用底部带槽炉时，冯·米塞斯应力和位错密度均有所降低。本研究在DS炉换热块半径为30和60毫米的不同槽型中开展。
作者：
P. Karuppasamy，M. Srinivasan，K. Aravinth，P. Ramasamy
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