研究目的
通过MOCVD技术完全生长的量子级联激光器有源区的结构和光学特性研究,以及包层不同生长温度对有源芯层特性的影响分析。
研究成果
研究得出结论:包层材料的生长温度会影响量子级联激光器有源芯区的结构与光学特性。为解释观测到的能级偏移现象,研究提出了原子互扩散过程模型。建议采用芯层与包层同温生长工艺以避免生长后退火效应。
研究不足
该研究仅限于分析特定生长温度下MOCVD生长的量子级联激光器的结构和光学特性。原子互扩散过程的模型被简化,可能无法解释所有可能的影响。
研究目的
通过MOCVD技术完全生长的量子级联激光器有源区的结构和光学特性研究,以及包层不同生长温度对有源芯层特性的影响分析。
研究成果
研究得出结论:包层材料的生长温度会影响量子级联激光器有源芯区的结构与光学特性。为解释观测到的能级偏移现象,研究提出了原子互扩散过程模型。建议采用芯层与包层同温生长工艺以避免生长后退火效应。
研究不足
该研究仅限于分析特定生长温度下MOCVD生长的量子级联激光器的结构和光学特性。原子互扩散过程的模型被简化,可能无法解释所有可能的影响。
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