研究目的
利用非平衡格林函数方法计算横向磁场存在下短沟道单壁碳纳米管场效应晶体管的电致发光光谱和辐射复合率。
研究成果
研究表明,在单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNTFET)上施加横向外磁场可显著提高辐射复合速率,并导致电致发光光谱发生红移。通过磁场调控电致发光光谱的特性,可应用于下一代光电子与光子器件。
研究不足
该研究仅限于在特定条件下对某一类单壁碳纳米管场效应晶体管进行模拟。未探讨研究结果在其他类型纳米管或不同条件下的实际应用及可扩展性。
研究目的
利用非平衡格林函数方法计算横向磁场存在下短沟道单壁碳纳米管场效应晶体管的电致发光光谱和辐射复合率。
研究成果
研究表明,在单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNTFET)上施加横向外磁场可显著提高辐射复合速率,并导致电致发光光谱发生红移。通过磁场调控电致发光光谱的特性,可应用于下一代光电子与光子器件。
研究不足
该研究仅限于在特定条件下对某一类单壁碳纳米管场效应晶体管进行模拟。未探讨研究结果在其他类型纳米管或不同条件下的实际应用及可扩展性。
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