研究目的
开发基于薄c-Si晶圆的柔性结构单结太阳能电池，以推动未来卷对卷电子技术的发展；采用必要的光学管理方案来克服薄晶圆中的光损耗（主要是长波长光），同时不牺牲传统Al背?。˙SF）结构；并依照现有可量产的制造工艺制备该器件，以便于商业化推广。
研究成果
该研究成功展示了在AM 1.5模拟辐射下制备出效率达12.23%的薄型柔性晶体硅太阳能电池。在薄晶圆两侧引入ITO层有助于调控较长波长的入射光子，并作为悬挂键的阻挡/钝化介质。这项工作开创了一种新型光伏技术的可能性——该技术能显著减少材料用量，从而降低材料成本，并使太阳能电池适用于柔性电子器件。
研究不足
该研究承认缺乏市售的薄晶圆，因此不得不采用缩放技术。研究发现，缩放后薄晶圆的缺陷水平增加了1.77倍，这可能会影响器件性能。研究还指出，需要进一步优化ITO层厚度以实现更好的光管理。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用单结概念制备薄型柔性晶体硅太阳能电池。方法包括通过碱蚀刻将商用p型180微米厚单晶硅片减薄至30微米，随后进行n型扩散、氧化铟锡（ITO）层沉积及金属化处理。
2：样本选择与数据来源：
使用商用p型180微米厚单晶硅片，减薄后硅片厚度通过截面显微图像确定。
3：实验设备与材料清单：
设备包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）腔室、射频溅射系统、热蒸发系统及三区带式炉。材料包含氧化铟锡（ITO）、铝（Al）和银（Ag）。
4：实验流程与操作步骤：
工艺包括薄型p型硅片的n型扩散、双面ITO层沉积及接触电极金属化，通过场发射扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）及J-V测试对电池进行表征。
5：数据分析方法：
晶体学参数通过XRD评估，光学反射率采用光谱响应单元测量，电流密度-电压（J-V）特性在AM 1.5G模拟辐射下测定。
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