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以CdS为缓冲层的丰土硫属化合物光伏材料的效率:能带排列的限制效应

DOI:10.1088/2515-7655/ab6942 期刊:Journal of Physics: Energy 出版年份:2020 更新时间:2025-09-16 10:30:52
摘要: 地球储量丰富且环境友好的Cu2–II–IV–VI4(II = Sr, Ba;IV = Ge, Sn;VI = S, Se)材料被视为薄膜太阳能电池的吸收层材料。在不到两年时间内,通过理解和改进这些新兴吸收体光电特性的研究,已实现5.2%的转换效率。然而,缓冲层/吸收体界面的能带排列尚未被研究——这一信息对设计高性能器件至关重要。因此,本研究聚焦于这些材料与CdS缓冲层之间的能带偏移。通过第一性原理计算,测定了缓冲层/吸收体界面的能带不连续性。结果表明所有Cu2–II–IV–VI4吸收体与CdS均呈现II型能带排列,从而产生负的ΔEc。但在缓冲层/吸收体界面采用负ΔEc(类悬崖型导带偏移)会导致开路电压降低和界面相关复合增强。因此,有必要寻找能与这些吸收体形成I型能带排列的替代缓冲材料——该排列中导带底和价带顶均位于吸收体一侧。
作者: Elaheh Ghorbani
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研究概述 实验方案

研究以CdS为缓冲层的地球丰产硫属化合物光伏材料的效率,重点关注能带排列的限制效应。

研究表明,当使用硫化镉(CdS)作为缓冲层与铜铋硒(CBC)吸收层搭配时,导带偏移会形成有害的陡峭悬崖状构型,从而限制器件的转换效率。该研究建议需要寻找能与这些吸收层形成I型能带排列的替代缓冲材料。

该研究的局限性在于界面计算的计算成本较高,以及对界面处两种化合物之间取向关系的认知不足。此外,该研究假设了特定的界面取向,而这些取向在实际样品中可能并不存在。

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