研究目的
通过采用铜填充微沟槽结构研究氮化镓-硅高电子迁移率晶体管（HEMTs）的热管理，以缓解自热效应并提升器件性能。
研究成果
在硅基氮化镓高电子迁移率晶体管中采用铜填充微沟槽结构，通过降低自热效应显著改善了热管理性能，从而提升了器件性能。该方法为高功率氮化镓基半导体器件的散热问题提供了有效解决方案。
研究不足
该研究聚焦于氮化镓-硅异质结场效应晶体管的热管理问题，但未涉及其他潜在限制因素，例如不同环境条件下的电学性能表现或铜填充微沟槽结构的长期可靠性。
1：实验设计与方法选择：
本研究通过在AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的硅衬底上采用深反应离子刻蚀制备微沟槽结构，并利用电镀工艺填充铜以改善散热性能。
2：样品选择与数据来源：
采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长的GaN/AlGaN HEMT器件。
3：实验设备与材料清单：
设备包括ICP反应离子刻蚀系统、电子束蒸发系统、快速热退火系统及Renishaw显微拉曼系统；材料包含用于欧姆接触的Ti/Al/Ni/Au和用于肖特基栅极接触的Ni/Au。
4：实验流程与操作步骤：
包含器件制备、微沟槽实施及电学与热学特性表征。
5：数据分析方法：
电学特性通过安捷伦B1505A参数分析仪测量，热学特性采用红外测温法与显微拉曼光谱进行表征。
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Agilent B1505A parameter analyzer
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