研究目的
研究将场辅助超线性阈值选择器与阻变随机存取存储器（RRAM）集成，以克服交叉点RRAM阵列中的漏电流难题。
研究成果
FAST选择器展现出卓越的性能指标，包括高选择性、陡峭的开启斜率和优异的耐久性，使其适用于高密度RRAM集成。1S1R集成方案成功克服了漏电流挑战，为未来存储应用提供了极具前景的解决方案。
研究不足
该研究表明FAST选择器在高密度RRAM应用中具有潜力，但在扩展至4Mb以上阵列及在不同环境条件下运行时可能需要进一步优化。
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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019年化合物半导体周（CSW）- 用于低过剩电压蓝光LED和UVC LED的混合III族氮化物隧道结
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[IEEE 2019化合物半导体周（CSW）- 日本奈良（2019.5.19-2019.5.23）] 2019年化合物半导体周（CSW）- 用于低过剩电压蓝光LED和UVC LED的混合III族氮化物隧道结
DOI：10.1109/iciprm.2019.8819252
出版年份：2019
更新时间：2025-09-16 10:30:52
摘要：
我们报道了一种可三维堆叠的1S1R无源交叉点阻变随机存储器(RRAM)。通过采用场辅助超线性阈值选择器，成功克服了交叉点RRAM集成中的漏电流难题。该选择器具有>10^7的高选择性、<5 mV/十倍频的陡峭开关斜率、可调阈值电压特性，在125°C下稳定工作且耐久性>10^11次循环。此外，我们实现了选择器亚阈值电流<10 pA的1S1R集成方案，在循环过程中保持>10^2的存储开/关比和>10^6的选择性。结合自电流控制的RRAM单元，该1S1R结构可支持高密度高性能存储应用。
作者：
Sung Hyun Jo，Tanmay Kumar，Sundar Narayanan，Hagop Nazarian
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