研究目的
研究复杂硅微机电系统谐振器品质因数行为的精确建模,以预测惯性传感器和振荡器的性能。
研究成果
研究表明,通过采用材料特性的全各向异性表征和温度依赖性,可以实现对复杂硅基MEMS谐振器品质因子的精确建模。研究结果凸显了热弹性耗散(TED)的重要作用,并强调了在谐振器设计中考虑晶体各向异性和微小几何特征的重要性。该研究为设计具有可预测或优化品质因子的高性能MEMS器件奠定了基础。
研究不足
该研究承认材料特性(如AKE的格林艾森参数)及掺杂水平对弹性常数的影响存在不确定性。尽管模型较为全面,但可能无法完全捕捉每种谐振器设计中的所有耗散机制,这表明仍需进一步优化和研究。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用有限元法(FEM)对MEMS谐振器中的本征能量耗散机制进行建模,包括晶体硅的完全各向异性表征以及所有参数的温度依赖性。
2:样本选择与数据来源:
研究聚焦于三种不同类型的谐振器——双端音叉(DETF)、圆盘谐振器(DRG)和双环谐振器,这些谐振器采用外延多晶硅封装工艺制造。
3:实验设备与材料清单:
研究使用COMSOL Multiphysics v4.3a进行有限元模拟,涉及单晶硅的材料特性,包括其温度相关的弹性常数、热导率和比热容。
4:3a进行有限元模拟,涉及单晶硅的材料特性,包括其温度相关的弹性常数、热导率和比热容。
实验步骤与操作流程:
4. 实验步骤与操作流程:方法包括求解谐振器的耦合热弹性方程,分析品质因数的温度依赖性,并将模拟结果与实验测量值进行对比。
5:数据分析方法:
分析内容包括比较实测与模拟的品质因数,评估热弹性耗散(TED)、阿希泽阻尼(AKE)、气压阻尼和锚点阻尼的贡献,并考察晶体各向异性和温度对谐振器性能的影响。
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