研究目的
通过溶剂热反应合成无形态缺陷的固溶体SnSxSe2(1-x)纳米片，并证明通过形成SnS2和SnSe2固溶体可合理调控电子带隙。
研究成果
成功合成了形态无缺陷且带隙可调的SnSxSe2(1-x)纳米片，为电子学、光电子学和电催化应用提供了有前景的材料。
研究不足
由于前驱体反应活性的差异以及对反应条件精确控制的需求，合成具有可控形貌和组分的SnSxSe2(1-x)纳米片具有挑战性。
1：实验设计与方法选择：
采用溶剂热反应合成SnSxSe2-x纳米片，通过调控单质硫族元素前驱体的反应活性，并以己胺与聚乙烯吡咯烷酮混合物作为共表面活性剂。
2：样品选择与数据来源：
使用氯化亚锡、硒粉、硫粉、己胺和聚乙烯吡咯烷酮作为前驱体。
3：实验设备与材料清单：
采用聚四氟乙烯内衬高压反应釜、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）及紫外-可见-近红外吸收光谱仪（UV-Vis-NIR）。
4：实验步骤与操作流程：
将前驱体混合后进行溶剂热反应加热，随后经洗涤和离心处理获得最终产物。
5：数据分析方法：
通过分析XRD图谱、TEM图像及UV-Vis-NIR吸收光谱对合成的纳米片进行表征。
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Tin(II) chloride
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Precursor for synthesis
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Precursor for synthesis
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Polyvinylpyrrolidone
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