研究目的
研究二维与三维杂化有机-无机钙钛矿发光二极管中的磁电致发光响应，以理解自旋相关特性及Δg机制。
研究成果
基于HOIP的LED中MEL(B)响应可通过Δg机制解释，其线宽与自旋寿命和Δg成反比。二维PEPI中的自旋寿命短于三维MAPbI3，表明低维HOIP中自旋轨道耦合增强。MEL(B)响应与直接测量所得自旋寿命的一致性验证了Δg机制。
研究不足
该研究仅限于低温环境（10 K）和特定HOIP材料（二维-(PEA)2PbI4与三维-MAPbI3）。自旋寿命测量结果依赖于Δg机制模型的准确性。
1：实验设计与方法选择：
该研究通过测量低温下基于HOIP的LED的磁电导（MEL）响应，并利用Δg机制解释结果。
2：样本选择与数据来源：
样本为二维(PEA)2PbI4和三维MAPbI3 HOIPs。
3：实验设备与材料清单：
器件由ITO涂层玻璃、PEDOT:PSS、钙钛矿活性层、PCBM、Ca和Al电极组成。
4：实验步骤与操作流程：
磁电导测量在真空腔中进行，温度为10 K，面内磁场强度高达200 mT。自旋寿命通过皮秒时间分辨圆偏振光诱导吸收技术测量。
5：数据分析方法：
采用非洛伦兹函数拟合MEL(B)响应，以提取半高宽（HWHM）和自旋寿命。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Keithley 236
236
Keithley
Power supply for I–V characteristic measurements
-
Keithley 2000
2000
Keithley
Multimeter for I–V characteristic measurements
-
Ti–sapphire pulse laser
3955
Spectra Physics
Generating pump and probe beams for TPPA measurements
-
Photoelastic modulator
Modulating the pump beam between left and right circular polarization for TPPA measurements
-
Silicon photodetector
Detecting the probe beam in TPPA measurements
-
Lock-in amplifier
Synchronizing with the chopper and PEM frequencies for TPPA measurements
-
登录查看剩余4件设备及参数对照表
查看全部
