研究目的
研究三结In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P太阳能电池底部In0.3Ga0.7As子电池中吸收层厚度的最佳值,该值受此层中少数载流子寿命的影响。
研究成果
研究表明,三结太阳能电池中In0.3Ga0.7As基极层的最佳厚度随该层少数载流子寿命变化,在0.9至7.5微米之间。底部In0.3Ga0.7As子电池对三结太阳能电池效率的贡献率介于1%至7%之间。这些结果可用于优化高效太阳能电池用In0.3Ga0.7As/GaAs/In0.5Ga0.5P异质结构生长工艺。
研究不足
该研究的局限性在于所考虑的少数载流子寿命范围(17皮秒至53纳秒)以及所建模太阳能电池的特定结构。研究未探讨这些结果在其他太阳能电池结构或不同条件下的适用性。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用Sentaurus TCAD软件包对In0.3Ga0.7As子电池进行建模,通过求解电子和空穴的连续性方程及泊松方程来获取太阳能电池的I-V特性曲线。
2:3Ga7As子电池进行建模,通过求解电子和空穴的连续性方程及泊松方程来获取太阳能电池的I-V特性曲线。
样本选择与数据来源:
2. 样本选择与数据来源:所建模的太阳能电池结构基于既往研究数据,将少数载流子寿命的具体数值设为计算复合速率的参数。
3:实验设备与材料清单:
研究使用Sentaurus TCAD软件包及多层膜结构的建模太阳能电池,其结构包含TiO2/Si3N4/SiO2三重减反射涂层、In0.3Ga0.7As、In0.75Ga0.25P和Au层。
4:3Ga7As、In75Ga25P和Au层。
实验流程与操作步骤:
4. 实验流程与操作步骤:建模过程包括设定In0.3Ga0.7As层中的少数载流子寿命、计算I-V特性曲线,并确定太阳能电池的最高输出功率点。
5:3Ga7As层中的少数载流子寿命、计算I-V特性曲线,并确定太阳能电池的最高输出功率点。
数据分析方法:
5. 数据分析方法:通过分析确定In0.3Ga0.7As吸收层的最佳厚度,并评估其对三结太阳能电池效率的贡献。
独家科研数据包,助您复现前沿成果,加速创新突破
获取完整内容