研究目的
研究基于硫超掺杂超薄硅的自支撑柔性光电探测器在便携式和可穿戴应用中的性能。
研究成果
基于硫超掺杂超薄硅制备的柔性光电探测器展现出卓越的宽带光响应、高响应度及快速响应特性，适用于柔性光电子应用。弯曲测试下的器件性能表明其具有优异的机械耐久性和电学稳定性。
研究不足
该研究指出，由于材料厚度减小以及制造过程中引入的结构缺陷，在给定电压下该器件的暗电流较大，通过钝化等表面处理可改善这一情况。
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基于硫超掺杂超薄硅的高性能独立式柔性光电探测器
DOI：10.1021/acsami.9b16667
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
采用硅基材料制备的柔性光电探测器（PD）在各类便携式和可穿戴应用领域备受关注。本研究首次展示了基于硫超掺杂超薄硅的自由站立式柔性光电探测器，该器件通过六氟化硫气氛中的飞秒激光加工而成。研究发现，该器件展现出400至1200纳米波段的宽带光电响应性能，在-2伏低偏压下于870纳米波长处获得63.79安/瓦的峰值响应度，对应外量子效率高达9092%，超过大多数已报道的硅基柔性光电探测器性能指标。此外，该器件具有快速响应速度（上升时间τr=68微秒）和稳定的检测性能，并保持良好的机械柔韧性。这种高性能光电探测器为传感器、成像系统和光通信系统等柔性应用领域提供了极具前景的解决方案。
作者：
Xiaorong Jin，Yuqi Sun，Qiang Wu，Zixi Jia，Song Huang，Jianghong Yao，Hui Huang，Jingjun Xu
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