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[2019年IEEE第二届英国与爱尔兰光学与光子学会议(BICOP) - 英国伦敦 (2019.12.11-2019.12.13)] 2019年IEEE第二届英国与爱尔兰光学与光子学会议(BICOP) - 低聚芴并三亚苯激光传感器：迈向细菌生长检测

DOI：10.1109/BICOP48819.2019.9059576 出版年份：2019 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 我们展示了基于场效应晶体管（FET）的等离子体太赫兹（THz）探测器在低阻抗状态下集成单体天线的性能提升，并利用0.2太赫兹测量系统报道了硅MOSFET在太赫兹频段的阻抗实验结果。通过设计低阻抗范围（<1千欧）的FET并集成50欧和100欧阻抗的天线，我们发现低阻抗MOSFET在0.2太赫兹下满足50欧输入阻抗标准，且采用更薄栅氧化层的MOSFET在50欧天线配置下展现出比无天线探测器高325倍的显著增强等离子体光响应。
作者： Min Woo Ryu，Kwan Sung Kim，Jeong Seop Lee，Kibog Park，Jong-Ryul Yang，Seong-Tae Han，Kyung Rok Kim
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究低阻抗状态下基于场效应晶体管(FET)且集成单体天线的等离子体太赫兹(THz)探测器的性能提升，并报道硅MOSFET在太赫兹频段的阻抗实验结果。

研究成果

研究表明，基于低阻抗MOSFET并集成单体天线的等离子体太赫兹探测器性能显著提升。该发现为设计低阻抗范围内的场效应管等离子体太赫兹探测器提供了指导原则，同时强调了非准静态沟道电子密度调制中外部阻抗与内部等离子体效应的双重重要性。

研究不足

该研究仅限于0.2太赫兹频段，重点关注具有特定尺寸和阻抗的硅MOSFET器件。性能提升是与无天线探测器进行对比得出的，且研究未涉及更高频段或其他材料。

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