研究目的
通过控制不同的沉积时间,研究采用脉冲激光沉积法制备大尺寸二硫化钼,旨在克服当前制备方法在实现高质量、可控的大面积二硫化钼制备方面的局限性。
研究成果
脉冲激光沉积法可用于制备大面积表面光滑、结晶良好且品质优异的MoS2薄膜,该薄膜可应用于光电器件、柔性器件及传感器。该研究成功展示了具有可控厚度和晶体有序性的MoS2薄膜制备方法,表明此方法在大规模应用方面具有潜力。
研究不足
该研究聚焦于不同沉积时间对二硫化钼薄膜质量的影响,但未深入探究激光功率或基底温度变化等其他可能影响薄膜质量的变量。