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[2019年IEEE第19届国际纳米技术会议(IEEE-NANO) - 中国澳门(2019年7月22日-2019年7月26日)] 2019 IEEE第19届国际纳米技术会议(IEEE-NANO) - 脉冲激光沉积二硫化钼用于制备二硫化钼/石墨烯光电探测器

DOI:10.1109/nano46743.2019.8993905 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 21世纪以来,随着技术的不断发展,微电子行业取得了巨大进步。当器件沟道缩小至纳米尺度时,硅基半导体已接近其物理极限,性能开始下降,传统硅基半导体产业由此进入研究瓶颈期。与传统硅基半导体相比,二维材料因其超薄原子层特性和半导体性能,在半导体行业中的应用日益广泛。作为二维材料的典型代表,MoS2被广泛用于器件制备,包括气体传感器、光电晶体管、柔性薄膜晶体管、锂离子电池电极以及异质结二极管等。然而,实现高质量、可控的大面积MoS2制备仍是主要难题,这严重阻碍了MoS2在应用领域的发展。本文通过控制不同沉积时间,采用脉冲激光沉积法制备了大尺寸MoS2。
作者: Shuye Zhang,Yanxin Zhang,Tiesong Lin,Peng He
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研究概述 实验方案 设备清单

通过控制不同的沉积时间,研究采用脉冲激光沉积法制备大尺寸二硫化钼,旨在克服当前制备方法在实现高质量、可控的大面积二硫化钼制备方面的局限性。

脉冲激光沉积法可用于制备大面积表面光滑、结晶良好且品质优异的MoS2薄膜,该薄膜可应用于光电器件、柔性器件及传感器。该研究成功展示了具有可控厚度和晶体有序性的MoS2薄膜制备方法,表明此方法在大规模应用方面具有潜力。

该研究聚焦于不同沉积时间对二硫化钼薄膜质量的影响,但未深入探究激光功率或基底温度变化等其他可能影响薄膜质量的变量。

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