研究目的
开发一种简化的石墨相氮化碳量子点（g-C3N4-QDs）合成方法，以改善其溶液和电致发光性能，用于量子点发光二极管（QLEDs）。
研究成果
OMIM方法能有效制备出具有高量子产率和稳定性的g-C3N4量子点，适用于蓝色QLED的制造。该QLEDs展现出性能提升，但需进一步增强稳定性。
研究不足
这些量子点发光二极管（QLEDs）在空气中以100 cd m?2亮度运行时表现出较低的工作稳定性，在200秒后亮度下降到初始值的不到50%，这表明器件结构需要进一步优化。
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甲胺插层法一锅法剥离石墨相C?N?量子点制备蓝色QLEDs
DOI：10.1002/smll.201902735
期刊：Small
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
本文介绍了一种采用一锅法甲胺插层-剥离工艺（OMIM）水热剥离块状石墨相氮化碳（g-C3N4）制备石墨相氮化碳量子点（g-C3N4-QDs）的简化合成方法，该方法可改善溶液性能与电致发光特性。通过此法合成的量子点保持了蓝色荧光发射特性，其荧光量子产率高达47.0%。与先前报道的量子点相比，由于具有较高的绝对zeta电位（-41.23 mV），本方法制备的g-C3N4-QDs具有更低的粒径多分散性和更优的溶液稳定性，这些特性使其成为更适合溶液法制备薄膜的功能材料。将这些量子点旋涂成膜可获得覆盖完整、表面粗糙度低的均匀薄膜，非常适用于量子点发光二极管（QLED）的制备。当采用OMIM法制备的g-C3N4-QDs作为发光层构建功能性QLED时，该器件在更低工作电压（9 V vs 21 V）下实现了约60倍更高的亮度（605 Cd m-2 vs 11 Cd m-2），较先前报道的第一代g-C3N4 QLED有显著提升，不过器件稳定性仍需进一步优化。
作者：
Xingchen He，Yanliang Liu，Christopher J. Butch，Bo Ram Lee，Feng Guo，Jiangxiao Wu，Ziyang Wang，Qian Lu，Jung Hyun Jeong，Yiqing Wang，Sung Heum Park
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