研究目的
通过控制工艺参数，采用化学气相沉积（CVD）方法研究不同二硫化钼微结构的生长情况。
研究成果
该研究通过控制化学气相沉积系统中的工艺参数，成功合成了不同微观结构的二硫化钼（MoS2），包括MoO2/MoS2异质结构和花状结构。该技术可推广用于制备其他二维材料的不同微观结构。
研究不足
该研究受限于需要精确控制加工参数以实现预期微观结构。较差的硫环境及缓慢的蒸汽流速未能诱导MoO3-x向MoS2的完全转变，反而形成了中间相MoO2。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用三区化学气相沉积（CVD）系统，通过控制硫浓度、氩气流速和温度等工艺参数来生长不同微观结构的二硫化钼（MoS2）。
2：样品选择与数据来源：
使用清洗后的二氧化硅/硅（SiO2/Si）衬底，以三氧化钼（MoO3）和硫（S）作为前驱体。
3：实验设备与材料清单：
配备直径2英寸石英管的三区CVD系统、氧化铝舟、三氧化钼粉末、硫粉及氩气。
4：实验步骤与操作流程：
将衬底倒置放置于炉膛中心区装有MoO3粉末的氧化铝舟上，硫粉置于上游位置。系统经抽真空后通入氩气吹扫，反应过程中控制温度与氩气流速。
5：数据分析方法：
采用扫描电子显微镜（SEM）和拉曼光谱表征形貌并确认二硫化钼的存在。
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