研究目的
为评估增强型氧化锌薄膜晶体管（TFT）在直流和射频开关应用中的开关性能，利用其低温、与衬底无关的工艺集成潜力。
研究成果
该研究表明无序金属氧化物半导体在高直流和射频开关等高性能应用方面具有潜力。通过优化，金属氧化物薄膜晶体管（MO - TFTs）的性能指标能够达到或优于现有技术，从而实现新的电路集成方案和功能。
研究不足
该研究承认，在高应力运行条件下实现可靠性能仍需进一步优化。击穿的确切物理机制有待深入研究。
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[2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络
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[2019年IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 韩国首尔(2019.10.27-2019.11.2)] 2019 IEEE/CVF国际计算机视觉会议(ICCV) - 基于单幅图像的精细人体深度估计神经网络
DOI：10.1109/iccv.2019.00784
出版年份：2019
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
无序离子键合过渡金属氧化物薄膜晶体管（TFTs）在多种直流和射频开关应用中展现出潜力，尤其适用于能发挥其低温、与衬底无关工艺集成优势的场景。本文制备了增强型氧化锌TFTs并评估其开关性能。动态电流-电压测试表明，这些TFTs具有0.6 A/mm的漏极电流密度和极小的频率色散。实验测得0.75微米长沟道器件的高频功率开关优值RON·QG为359 mΩ·nC（其中RON为导通态漏源电阻，QG为栅极电荷），通过尺寸缩减可使11V额定器件达到45.9 mΩ·nC。相同0.75微米TFT测得射频开关截止频率fc为25 GHz，经优化后预计fc可超500 GHz并实现数十瓦功率处理能力。
作者：
Michael L. Schuette，Andrew J. Green，Kevin Leedy，Antonio Crespo，Stephen E. Tetlak，Karynn A. Sutherlin，Gregg H. Jessen
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