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缺陷容忍型CsPbBr?钙钛矿量子点中导带最小值之外浅/深陷阱态的范围：对载流子复合程度的调控

DOI：10.1021/acs.jpclett.0c00385 期刊：The Journal of Physical Chemistry Letters 出版年份：2020 更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要： 钙钛矿量子点（PQDs）具有缺陷容忍特性，其带隙纯净且光学惰性的良性缺陷态较少。然而我们发现，在导带最小值之外存在显著的深陷阱态，尽管浅陷阱态的范围极小。钙钛矿量子点中导带最小值之外的深陷阱态范围较为显著，但仍小于光学稳定性强的CdSe和InP基核/合金壳量子点?；诔焖蔡蘸统吡槊舳鹊チＷ庸馄椎纳钊敕治鼋沂玖薈sPbBr3 PQD中载流子复合的关键程度，这对能源应用具有重要意义。
作者： Saptarshi Mandal，Soumen Mukherjee，Chayan K. De，Debjit Roy，Swarnali Ghosh，Prasun K. Mandal
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研究概述 实验方案

研究目的

研究缺陷容忍型CsPbBr3钙钛矿量子点中导带最小值之外浅/深陷阱态的分布范围及其对载流子复合程度的调控作用。

研究成果

研究表明，具有缺陷容忍特性的CsPbBr3量子点在导带上方存在大量深能级陷阱态，而在带边以上1.0电子伏特范围内仅存在极少量浅能级陷阱态。与CdSe/InP基核/合金壳量子点相比，CsPbBr3量子点在导带上方存在的陷阱态数量显著更少。该发现为理解量子点中的载流子动力学和复合过程提供了重要见解，对能源应用具有重要意义。

研究不足

该研究承认，CsPbBr3量子点并非完全"耐缺陷"，因为即使在带边激发下也观察到显著的闪烁现象。导带最大值上方超过1.0电子伏特的深陷阱态范围较大，表明存在需要进一步优化的领域。

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