研究目的
准确预测品质因数对于设计高性能微机电(MEMS)器件至关重要。
研究成果
该论文得出结论:通过精确建模对阻尼贡献最大的因素,可对复杂MEMS谐振器的品质因数进行高度精确的定量预测。研究采用完全耦合的热弹性方程从热弹性耗散计算Q值,并解析获得AKE的Q值。通过将标度模型与具有正确温度标度的实验数据进行拟合,并结合这些剩余项的其他独立测定结果,评估了压力阻尼和锚点阻尼的贡献。
研究不足
实验的技术和应用限制包括:为复杂设计建模品质因数时的计算复杂性,以及简化模型可能导致误导性结果的可能性。
1:实验设计与方法选择:
该方法采用全各向异性晶体硅表征及所有参数的温度依赖性,通过有限元法构建微机电系统谐振器本征能量耗散机制的完整、定量且具有预测性的模型。
2:样本选择与数据来源:
研究聚焦于三种不同类型的谐振器:双端音叉(DETF)、圆盘谐振器(DRG)和双环谐振器。
3:实验设备与材料清单:
谐振器采用外延多晶硅封装工艺制备。
4:实验流程与操作步骤:
各类谐振器的品质因数取决于热弹性耗散(TED)、阿希泽阻尼(AKE)、气压阻尼和锚点阻尼等多种耗散机制的共同作用。
5:数据分析方法:
谐振器的Q值表示为独立耗散贡献的倒数之和。
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