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n<sup>+</sup>-InAs/n-InAsSbP/InAs/p-InAsSbP双异质结红外光电二极管的室温低频噪声

DOI:10.1088/1361-6641/ab3c3e 期刊:Semiconductor Science and Technology 出版年份:2019 更新时间:2025-09-19 17:13:59
摘要: 在1-10^4 Hz频率范围内研究了InAsSbP/InAs双异质结(DH)光电二极管的低频正向电流噪声和光电流噪声。双异质结光电二极管的光电流噪声显著低于单异质结(SH)光电二极管。具有1/f频率特性的双异质结二极管正向电流噪声也远低于单异质结二极管。然而在某些双异质结二极管中,产生-复合机制是正向电流噪声的主要来源,此时噪声水平明显更高。在足够高的正向电流密度下,噪声随电流增大而降低。观测到的产生-复合噪声谱无法用传统理论描述。
作者: N V Dyakonova,S A Karandashev,M E Levinshtein,B A Matveev,M A Remennyi
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研究InAsSbP/InAs双异质结(DH)光电二极管中的低频正向电流噪声和光电流噪声,将其与单异质结(SH)光电二极管进行比较,并理解产生-复合噪声机制。

在室温下,p-InAsSbP/n-InAs双异质结(DH)光电二极管的低频噪声远低于p-InAsSbP/n-InAs单异质结(SH)光电二极管。DH光电二极管的光电流噪声显著低于SH二极管。DH二极管的正向电流噪声可能由产生-复合机制主导,导致某些情况下噪声水平更高。噪声随正向扩散电流减小可能是由于空穴注入基区所致,但观察到的现象无法完全用传统理论解释。

观测到的产生-复合噪声谱无法用传统理论描述,表明对这些器件中噪声机制的理解存在空白。该研究仅限于室温测量和特定频率范围。

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