研究目的
研究一种用于耦合传输线的新实验表征技术，以确定宽带范围内稳定且精确的网络参数。
研究成果
提出了一种新型的双耦合传输线实验表征技术，该技术可在宽带范围内准确表征传输线特性。通过与低频电容测量数据和数值模拟结果的对比验证了该技术的有效性。
研究不足
所提出的方法是一种近似技术。使用GSSG探头对矢量网络分析仪进行SOLT校准所导致的四端口测量误差，在高频下可能不够精确。
1：实验设计与方法选择：
在同一晶圆上采用0.18微米CMOS工艺开发并制作了三种特定实验测试结构（E型、F型和G型结构）。
2：18微米CMOS工艺开发并制作了三种特定实验测试结构（E型、F型和G型结构）。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：测试结构使用1层多晶硅6层金属的0.18微米CMOS工艺。
3：18微米CMOS工艺。 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：采用矢量网络分析仪（Agilent N5247A）和探针头（Cascade I50-A-GSG-150用于双端口测量，GGB 50A-GS-150/50A-SG-150-D-150用于四端口测量）。
4：实验流程与操作步骤：
将矢量网络分析仪各端口连接至探针头，使用SOLT校准法对矢量网络分析仪进行校准，并通过Y参数去嵌入法消除并联寄生效应。
5：数据分析方法：
根据测量的S参数确定传输线模型参数，并与三维数值计算及低频电容测量数据进行对比。
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VNA
N5247A
Agilent
Used for S-parameter measurements.
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Capacitance meter
E4981A
Agilent
Used for capacitance measurements.
-
Probe tip
I50-A-GSG-150
Cascade
Used for two-port measurements.
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Probe tip
50A-GS-150/50A-SG-150-D-150
GGB
Used for four-port measurement.
-
Impedance standard substrate
101-190
Cascade
Used to calibrate the VNA for two-port measurements.
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Impedance standard substrate
CS-3-150
GGB
Used to calibrate the VNA for four-port measurement.
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