研究目的
制备具有原子层沉积中间层的CsPbBr3量子点发光二极管（PQD-LEDs），该中间层用于?；ち孔拥阍赯nO旋涂过程中免受极性溶剂损伤并提升器件性能。
研究成果
提出采用Al2O3和ZnO双层原子层沉积中间层作为解决方案，在此方案下实现了2000 cd/m2的亮度和0.5 cd/A的电流效率。该中间层能在不损伤CsPbBr3量子点的前提下，?；て浔砻婷馐芏〈记质?。
研究不足
Al2O3的绝缘特性导致CsPbBr3量子点发光二极管的开启电压升高且功率效率降低。当原子层沉积ZnO覆盖在CsPbBr3量子点表面时，观察到显著的荧光猝灭和红移现象。
1：实验设计与方法选择：
通过溶液法合成CsPbBr3量子点并制备PQD-LED器件，在此过程中采用原子层沉积（ALD）技术添加Al2O3和ZnO中间层。建议采用标准结构ITO/TFB:F4TCNQ/CsPbBr3量子点/超薄ALD Al2O3或ZnO/ZnO/Al，以抑制ZnO旋涂过程中极性溶剂的损伤。
2：样品选择与数据来源：
按照先前报道的方法制备分散于辛烷中的CsPbBr3量子点样品，通过扫描电镜（SEM）、光致发光光谱（PL）及器件性能测试对样品进行表征。
3：实验设备与材料清单：
ALD腔室（Lucida D100）、扫描电镜（日立S-4800）、PL光谱仪（HORIBA FluoroMax）以及用于铝阴极蒸镀的热蒸发仪。
4：0）、扫描电镜（日立S-4800）、PL光谱仪（HORIBA FluoroMax）以及用于铝阴极蒸镀的热蒸发仪。 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：包括CsPbBr3量子点合成、含ALD中间层的器件制备，以及器件性能与量子点薄膜的表征。
5：数据分析方法：
对SEM图像、PL光谱及器件性能参数（如亮度、电流密度和效率）进行分析。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
SEM
Hitachi S-4800
Hitachi
Scanning electron microscopy analysis of PQD films.
-
ALD chamber
Lucida, D100
Deposition of Al2O3 and ZnO interlayers via atomic layer deposition.
-
PL spectrometer
Horiba FluoroMax
Horiba
Measurement of photoluminescence spectra of PQD films.
-
Thermal evaporator
Deposition of Al cathode.
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
