研究目的
研究二维（2D）半导体/铁电氧化物结构中自由电荷与束缚电荷的相互作用，以理解其独特的光电特性及在电子器件中的潜在应用。
研究成果
研究表明，二维半导体/铁电氧化物结构中自由电荷与束缚电荷的相互作用可产生独特的光电特性，包括依赖极化的电荷分布和光生载流子的高效分离。这些发现为半导体/铁电体系在电子器件中的应用开辟了新途径。
研究不足
该研究聚焦于特定二维半导体与铁电氧化物的相互作用，其结论可能无法推广至所有半导体/铁电体系。实验条件（如采用特定激光波长）也可能限制研究结果的适用性。
1：实验设计与方法选择：
本研究将二维层状半导体MoS2（n型）和WSe2（p型）与铁电氧化物（PbTiO3）进行垂直组合，以探究极化依赖的电荷分布及钳位滞后现象。
2：样品选择与数据来源：
在SiO2（300 nm）/Si衬底上剥离半导体原子级薄片，随后采用湿法转移技术将其转移至PTO/LNO/STO薄膜异质结构上。
3：实验设备与材料清单：
通过脉冲激光沉积法制备铁电PbTiO3薄膜，利用导电原子力显微镜（C-AFM）研究输运特性。
4：实验步骤与操作流程：
在532 nm激光照射下测量光生电流，通过极化处理获取铁电极化依赖的电流（I）-电压（V）特性曲线。
5：数据分析方法：
通过分析输运特性与极化翻转行为，理解半导体自由电荷与铁电极化束缚电荷间的相互作用。
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