研究目的
介绍一种独特的二硫化钼（MoS2）光电二极管设计，采用多层二硫化钼半导体层和永久接地的栅极端子，以实现高光电响应度、优异的光电探测率和可见光照射下稳定的响应时间。
研究成果
接地栅极二硫化钼光电二极管展现出高光电响应度、可靠的光电探测率及稳定的响应时间，为下一代光电子应用提供了极具前景的平台。
研究不足
该研究聚焦于可见光波长（405、532和638纳米），未探究设备在其他波长或不同环境条件下的性能表现。
1：实验设计与方法选择：
该设计采用钛和金（Ti/Au）金属源漏电极之间夹有多层二硫化钼（MoS2）半导体层，全局底栅终端永久短接至源极的接地触点。
2：样品选择与数据来源：
通过机械剥离法将多层二硫化钼转移至全局底栅/介电层（Al2O3）上。
3：实验设备与材料清单：
电极使用钛和金（Ti/Au），介电层为Al2O3，半导体沟道为多层二硫化钼。
4：实验步骤与操作流程：
制备过程包括栅电极图案化、介电层沉积、二硫化钼转移以及源漏电极图案化。
5：数据分析方法：
在不同光照波长下，使用半导体表征系统测量电学和光响应特性。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Raman spectroscopy system
ALPHA300
WITec Co.
Material characterization
-
Semiconductor characterization system
4200 SCS
Keithley
Electrical and photoresponse characteristics measurement
-
Light illumination sources
S405-HP for 405 nm, SM600 for 638 nm
Thorlabs
Light illumination for photodetector testing
-
Light illumination source
MGL-FN-532
Changchun New Industries Optoelectronics Technology Co.
Light illumination for photodetector testing
-
登录查看剩余2件设备及参数对照表
查看全部
