研究目的
研究新型二维半导体SbSiTe3的电子特性和弹道输运性能，以应用于未来的纳米电子学领域。
研究成果
二维SbSiTe3展现出优异的电子特性和弹道输运性能，使其成为未来纳米电子学的潜在候选材料。该材料可调的带隙、轻的电子有效质量以及各向异性的空穴有效质量，有助于其在MOSFET应用中实现高载流子迁移率和良好的栅极控制能力。
研究不足
该研究基于计算模拟，未涉及二维SbSiTe3器件的实际制备与测量，也未考虑环境因素和缺陷对器件性能的影响。
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基于DFT与NEGF方法对二维SbSiTe?电子特性及弹道输运性能的研究
DOI：10.1039/D0NR01838D
期刊：Nanoscale
出版年份：2020
更新时间：2025-09-19 17:13:59
摘要：
识别具有优异电子特性和输运性能的新型二维半导体材料，对推动电子与光电器件应用发展至关重要。本研究基于密度泛函理论（DFT）和非平衡格林函数方法，系统分析了新型二维半导体SbSiTe3的电子特性与弹道量子输运性能。研究表明：单层SbSiTe3具有1.61 eV的间接带隙，其电子有效质量较轻（0.13 m0），空穴有效质量呈现各向异性（0.49 m0与1.34 m0）。弹道输运模拟显示，10纳米单层SbSiTe3的n型和p型MOSFET器件展现出约80 mV/dec的陡峭亚阈值摆幅及高达106的开/关比，表明其具备优异的栅极调控能力。当沟道长度缩短至5纳米时，其p型MOSFET仍能有效抑制带内隧穿效应。因此，二维SbSiTe3是极具潜力的未来纳米电子器件半导体材料。
作者：
Xuemin Hua，Hengze Qu，Lili Xu，Wenqiang Liu，Tingting Guo，Bo Cai，Xuechao Yu，Junwu Zhu，Shengli Zhang
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