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[2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 无水清洁解决方案：电动屏幕(EDS)薄膜在太阳能集热器无水清洁中的环境耐久性

DOI：10.1109/PVSC40753.2019.8981159 出版年份：2019 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 我们展示了基于场效应晶体管(FET)的等离子体太赫兹(THz)探测器在低阻抗状态下采用单片集成天线时的性能提升，并利用0.2太赫兹测量系统报道了硅MOSFET在太赫兹频段的阻抗实验结果。通过设计低阻抗范围(<1千欧)的FET并集成50欧和100欧阻抗的天线，我们发现低阻抗MOSFET在0.2太赫兹频段满足50欧输入阻抗标准，且采用更薄栅氧化层的MOSFET在50欧天线配置下展现出比无天线探测器高325倍的显著增强的等离子体光响应。
作者： Min Woo Ryu，Kwan Sung Kim，Jeong Seop Lee，Kibog Park，Jong-Ryul Yang，Seong-Tae Han，Kyung Rok Kim
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究低阻抗区单晶集成天线场效应晶体管(FET)基等离子体太赫兹(THz)探测器的性能提升，并报道硅MOSFET在太赫兹频段阻抗特性的实验结果。

研究成果

该研究表明，基于硅MOSFET的等离子体太赫兹探测器通过单片集成天线实现了显著的性能提升，并提供了硅MOSFET在太赫兹频段阻抗范围的实验证据。研究结果表明，设计用于等离子体太赫兹探测器的MOSFET时，需同时考虑非准静态沟道电子密度调制的外部阻抗和内部等离子体特性。

研究不足

该研究仅限于探究太赫兹频段下硅MOSFET的阻抗特性，以及基于低阻抗MOSFET与单片集成天线的等离子体太赫兹探测器的性能提升。潜在优化方向包括进一步降低等效噪声功率(NEP)和提高响应度。

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