研究目的
在OLED中探索极低磁场(<1mT)下的电检测磁共振,通过对比常规π共轭聚合物与其全氘代类似物,重点研究零场特征与局域超精细场之间的相互作用。
研究成果
研究表明,降低超精细场会使塞曼峰变尖锐但会增强零场峰,这表明在自由基对体系中检测顺磁共振存在基本的低场极限。有机发光二极管(OLED)为探索光化学反应中磁场效应的自由基对机制提供了固态平台。
研究不足
研究表明,由于窄共振谱与因超精细耦合减弱而产生的准静态零场特征之间的竞争,解析塞曼共振存在一个基本的低场极限。
研究目的
在OLED中探索极低磁场(<1mT)下的电检测磁共振,通过对比常规π共轭聚合物与其全氘代类似物,重点研究零场特征与局域超精细场之间的相互作用。
研究成果
研究表明,降低超精细场会使塞曼峰变尖锐但会增强零场峰,这表明在自由基对体系中检测顺磁共振存在基本的低场极限。有机发光二极管(OLED)为探索光化学反应中磁场效应的自由基对机制提供了固态平台。
研究不足
研究表明,由于窄共振谱与因超精细耦合减弱而产生的准静态零场特征之间的竞争,解析塞曼共振存在一个基本的低场极限。
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