研究目的
通过器件电子态的静电控制研究InAs/InP纳米线量子点中势垒透明度的调控
研究成果
研究表明，在小填充数下，InAs/InP量子点的隧穿速率演化呈现出一个填充阈值，该阈值会导致具有更大振幅的共振现象，这可以从源自不同轴向子带的轨道态占据情况来理解。这表明在异质结构纳米线系统中存在一种有效途径，可对隧穿耦合进行连续且可控的调节。
研究不足
该研究的局限性在于采用了单粒子图像的近似处理，其中未考虑量子点内部及纳米线表面的能带弯曲。此外，强耦合与弱耦合轨道之间的能级交叉可能导致混合效应无法解析。
该研究涉及制备嵌入单个InAs/InP量子点的器件，在4.2K的Heliox系统中进行测量。使用电压源和低噪声电流前置放大器对器件进行表征。采用商业偏微分方程求解器（COMSOL Multiphysics）模拟量子点系统中的轨道构型。实验设计包括利用侧栅控制量子点中的电子数量及局部静电环境，并通过衬底栅增强纳米线中的载流子密度。
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InAs/InP nanowire
Used as the core component in the quantum dot devices for studying electron tunneling rates.
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COMSOL Multiphysics
COMSOL
Used for simulating the orbital configurations in the quantum dot system.
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Heliox system
Used for performing transport measurements at 4.2 K.
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Yokogawa voltage source
Yokogawa
Used for applying voltage in the experiments.
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Stanford Research System voltage source
Stanford Research Systems
Used for applying voltage in the experiments.
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DL-1211 current preamplifier
DL-1211
Used for amplifying the current signal in the experiments.
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