研究目的
概述半导体量子点中的电荷噪声问题、其对相干特性的影响，并讨论减轻其效应的方法。
研究成果
电荷噪声会显著影响半导体量子点的相干特性，但通过额外非共振激发或电荷控制装置等策略可缓解这些影响。未来研究应聚焦于进一步降低退相位机制，以实现辐射极限发射。
研究不足
电荷噪声的影响因样品而异，这使得统一描述具有挑战性。要实现大多数量子点系统中真正受辐射限制的发射，需要进一步控制残余退相位机制。
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单半导体量子点的共振荧光：静电环境波动的影响
DOI：10.1088/1361-6641/ab4362
期刊：Semiconductor Science and Technology
出版年份：2019
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
半导体量子点是单光子及高度不可区分光子的极高效来源。这些特性依赖于在单自旋层面实现系统相干控制的可能性。在这种终极控制水平下，量子点成为其固态环境极为敏感的探针，任何相互作用都会转化为改变其相干特性的退相位过程。在本专题综述中，我们概述了电荷噪声问题——这一仍需克服的主要退相位机制。该现象与样品制备密切相关，源于量子点周围波动的静电环境，导致难以形成统一描述。我们展示了单量子点共振荧光实验中观测到的电荷噪声共同特征，并讨论了文献中为解决该问题提出的不同方法。
作者：
Antoine Reigue，Richard Hostein，Valia Voliotis
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